任开琳 副教授
邮箱：renkailin@shu.edu.cn
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办公室：八戒体育综合平台C楼-406
导师介绍：
从事半导体功率器件/显示器件与集成光电子芯片/集成电路先进工艺节点器件等领域的研究，近五年在IEEE Transactions on Electron Devices、Applied Physics Letters、Journal of Applied Physics等微电子领域权威期刊上发表SCI论文十余篇，在国际会议上报告研究成果5次。
主持国家自然科学基金青年项目一项，主持上海市自然科学基金面上项目一项，参与了上海市“科技创新行动计划”高新技术领域项目、新加坡教育部创新研究基金等多个纵向项目及海外企业横向项目。2021年12月入选上海市海外高层次人才引进计划。
招收集成电路、微固、电子信息、光电子、应用物理等相关专业背景的硕士研究生。
讲授课程：本科《信号与系统基础》、《功率半导体器件基础》；研究生《集成电路器件物理》、《化合物半导体器件》。
获第五届、第六届、第七届全国大学生集成电路创新创业大赛优秀指导教师奖，八戒体育综合平台第五届、第六届本科生学术论坛优秀指导教师奖。2022年指导团队获第六届全国大学生集成电路创新创业大赛全国总决赛三等奖、华东分赛区一等奖。获评八戒体育综合平台2022-2023学年优秀本科生全程导师。
研究方向：
宽禁带半导体功率器件及功率集成芯片，Micro-LED微显示器件及其驱动集成，集成电路先进工艺节点器件（GAAFET）的建模仿真与微纳制造工艺
教育背景：
2021年博士毕业于新加坡国立大学微电子学专业
2015年本科毕业于哈尔滨工业大学电气工程及其自动化专业
工作经历：
2021年12月-至今 八戒体育综合平台副教授,硕士生导师，担任2023级微电子科学与工程专业1班班导师
2021年4月-2021年11月 八戒体育综合平台讲师，硕士生导师，担任2020级微电子科学与工程专业1班班导师
主持项目：
国家自然科学基金青年项目《外延一体化的氮化镓基HEMT与微LED单片集成器件研究》，2023.01-2025.12
上海市自然科学基金面上项目《面向高速功率集成电路的新型P沟道氮化镓基晶体管研究》，2023.04-2026.03
近五年一作/通讯代表性成果：
Kailin Ren et al., "A Novel AlGaN/GaN Lateral Bipolar Junction Transistor Exploiting Polarization Effects", IEEE Transactions on Electron Devices, accepted.
Meng Gao et al., “A novel field-plated lateral β-Ga2O3 MOSFET featuring self-aligned vertical gate structure”, IEEE Transactions on Electron Devices,70 (8): 4309-4314, 2023.(通讯作者)
Kailin Ren et al., “Compact Physical Models for AlGaN/GaN MIS-FinFET on Threshold Voltage and Saturation Current,” IEEE Transactions on Electron Devices, 65 (4): 1348-1354, 2018.
Kailin Ren et al., “Physical Mechanism on the Suppression of Dynamic Resistance Degradation by Multi-Mesa-Channel in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors,” Applied Physics Letters, 115: 262101-1-262101-5, 2019.
Zhuang Wu et al., “Physical Mechanisms on the Size-effect in GaN-based Micro-LEDs”, Micro and Nanostructures, 177, 207542, 2023.(通讯作者)
Yue Liu, Kailin Ren (共一) “Electrostatic force evolution during the tip induced ferroelectric domain switching,” Journal of Applied Physics, 130, 194101, 2021.
Kailin Ren et al., “Physical mechanism of fin-gate AlGaN/GaN MIS-HEMT: Vth model,” Proceedings of 2016 IEEE 4th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), 319-323, 2016.
Kailin Ren et al., “Modelling of Trap Mechanism in AlGaN/GaN Fin-HEMT Current Collapse,” 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, 2019.
Yuan An, et al., “A novel Monolithically Integrated structure of GaN-based Micro-LED and its driver HEMT,”7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors &The 18th China International Forum on Solid State Lighting (IFWS & SSLCHINA 2021), 2021.(通讯作者)
部分代表性合作文章：
Lingxi Xia, Kailin Ren, Chih-Fang Huang, and Yung C. Liang,“Fin-shaped AlGaN/GaN high electron mobility magnetoresistive sensor device，”Applied Physics Letters,118,162104,2021.
Chih-Yao Chang, Yi-Chen Li, Kailin Ren, Chif-Fang Huang, and Yung C. Liang, “An AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor with a Built-In Light Emitter Using Radiative Recombination of Two-Dimensional Electron Gas and Holes,” IEEE Journal of the Electron Devices Society, 8: 346-349, 2020.
专利：
《一种改进的高电子迁移率发光晶体管》（第一发明人），申请号/专利号：202111331707.7
《一种负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管及制备方法》（第一发明人），申请号/专利号：202210219208.7
《一种柔性显示集成器件及其制备方法》（第一发明人），申请号/专利号：202310064065.1
《一种全双工可见光通信系统及其制备方法》（第一发明人），申请号/专利号：202310063928.3
《一种C字形阳极Micro-LED器件及其制备方法》（第一发明人），申请号/专利号：202310086837.1
